Transistor Enhancement Pdfn5*6 Sfg10s08GF Vds-100V ID-210A RDS (ON) -8milliohm Qg-49.9nc Per MOSFET di potenza a canale N con driver per motori convertitori c.c.-c.c.

Model No.
PDFN5*6 SFG10S08GF
Struttura
Planar
incapsulamento Struttura
Chip Transistor
Livello di potenza
Ad alta potenza
Materiale
Silicio
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
35x30x37cm
Marchio
Orientalsemi
Origine
China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1kk/Month
Prezzo di riferimento
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Descrizione del Prodotto

Descrizione generale

SFGMOS ®  MOSFET si basa sull'esclusivo design del dispositivo di Oriental Semiconductor per ottenere RDS (ON) basso , bassa carica di gate, commutazione rapida ed eccellenti caratteristiche di valanga. La  serie a bassa Vth è progettata appositamente per l'uso in sistemi di potenza con rettifica sincrona con bassa tensione di pilotaggio.
 

Caratteristiche

  • RDS( ON) E     FOM BASSI
  •     Perdita di commutazione estremamente bassa
  • Affidabilità e   uniformità eccellenti
  • Commutazione rapida e recupero graduale  
 

Applicazioni

  •   Caricabatterie PD
  •   Driver motore
  • Regolatore di tensione di commutazione
  •   Convertitore CC-CC
  •   Alimentazione in modalità commutata
 

Parametri chiave delle prestazioni

 
Parametro Valore Unità
VDS , min @ Tj (max) 100 V
ID , polso 210 R
RDS (ON) MAX @ VGS =10 V. 8 MΩ
QG 49.9 NC


Informazioni di contrassegno

 
Nome prodotto Pacchetto Marcatura
SFG10S08GF PDFN5*6 SFG10S08G

 
Valori nominali massimi assoluti a Tj =25°C, salvo diversa indicazione
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione di sorgente di scarico VDS 100 V
Tensione di alimentazione gate VGS ±20 V
Corrente di scarico continuo 1 ) , TC =25 °C. ID 70 R
Corrente di scarico pulsata2 ) , TC =25 °C. ID , polso 210 R
Corrente continua di diodo in avanti 1 ) , TC =25 °C. È 70 R
Diodo a impulsi current2 ) , TC =25 °C. È , polso 210 R
Dissidenza di alimentazione3 ) , TC =25 °C. PD 100 W
Energia a valanghe pulsata5 ) EAS 100 MJ
Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg , Tj da -55 a 150 °C
 

Caratteristiche termiche

Parametro Simbolo Valore Unità
Resistenza termica, scatola di giunzione RθJC 1.25 °C/W
Resistenza termica, ambiente di giunzione 4 ) RθJA 62 °C/W

Caratteristiche elettriche a Tj =25°C, salvo diversamente specificato
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di scarica-sorgente di scarica BVDSS 100     V VGS =0 V, ID =250 ΜA
Tensione di soglia gate VGS (th) 1.0   2.5 V VDS =VGS , ID =250 ΜA
Scarico-sorgente
resistenza in stato attivo 		RDS (ON)   7 8 MΩ VGS =10 V, ID =30 A.
Scarico-sorgente
resistenza in stato attivo 		RDS (ON)   8 10 MΩ VGS =4.5 V, ID =12 A.
Corrente di dispersione gate-source
IGS 		    100
Na 		VGS =20 V.
    -100 VGS =-20 V.
Corrente di dispersione drain-source IDS     1 μA VDS =100 V, VGS =0 V.
Resistenza del gate RG   5.2   Ω ƒ=1 MHz, open drain
 

Caratteristiche dinamiche

Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Capacità di ingresso CISS   2604   PF
VGS =0 V, VDS =50   V,
ƒ=1   MHz
Capacità di uscita COSS   361   PF
Capacità di trasferimento inversa CRS   6.5   PF
Tempo di ritardo di attivazione td (on)   20.6   n/s
VGS =10 V, VDS =50 V, RG =2.2 Ω, ID =25 A.
Tempo di salita tr   5   n/s
Ritardo di disattivazione td (off)   51.8   n/s
Tempo di caduta tf   9   n/s


Caratteristiche di carica del gate
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Costo totale gate QG   49.9   NC
VGS =10 V, VDS =50 V, ID =25 A.
Carica gate-source DGS   6.5   NC
Carica gate-drain QGD   12.4   NC
Tensione plateau gate Vplateau   3.4   V

Caratteristiche del diodo corpo
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di avanzamento diodo VSD     1.3 V IS =30 A, VGS =0 V.
Tempo di recupero inverso trr   60.4   n/s
VR =50 V, IS =12 A,
Di/dt=100 A/μs
Carica di recupero inversa Qr   106   NC
Corrente di recupero inversa di picco Irrm   3   R

Nota
  1. Corrente continua calcolata in base   alla temperatura di giunzione massima consentita.
  2. Valore nominale ripetitivo; larghezza impulso limitata dalla   temperatura massima di giunzione.
  3. PD si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando   la resistenza termica del contenitore di giunzione.
  4. Il   valore   di   RθJA   viene   misurato   con   il   dispositivo   montato   su           una scheda FR-4 1 in 2   da   2oz.   Rame, in ambiente tranquillo con Ta =25   °C.
  5. VDD =30 V,VGS =10 V, L=0.3 MH, Tj iniziale =25 °C.

 
Catena di fornitura Pdfn5*6 Sfg10s08GF Vds-100V ID-210A Power Mosfet



Dichiarazione di prodotto verde

 







 

 

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