Transistor Enhancement Mode TO220 sfs04r02PF Vds-40V ID-390A RDS (ON) -2,0 milliohm QG-96.8nc per MOSFET di potenza a canale N con regolatore di tensione di commutazione

Model No.
TO220 SFS04R02PF
Struttura
Planar
incapsulamento Struttura
Chip Transistor
Livello di potenza
Ad alta potenza
Materiale
Silicio
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
35x30x37cm
Marchio
Orientalsemi
Origine
China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1kk/Month
Prezzo di riferimento
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Descrizione del Prodotto

Descrizione generale

IL  MOSFET FSMOS® si basa sull'esclusivo design del dispositivo di Oriental Semiconductor per ottenere un RDS (ON) basso , una bassa carica di gate, una commutazione rapida ed eccellenti caratteristiche di valanga. La  serie a bassa Vth è progettata appositamente per l'uso in sistemi di potenza con rettifica sincrona con bassa tensione di pilotaggio.
 

Caratteristiche

  • RDS( ON) E     FOM BASSI
  •     Perdita di commutazione estremamente bassa
  • Affidabilità e   uniformità eccellenti
  • Commutazione rapida e recupero graduale  
 

Applicazioni

  •   Caricabatterie PD
  •   Driver motore
  • Regolatore di tensione di commutazione
  •   Convertitore CC-CC
  •   Alimentazione in modalità commutata
 

Parametri chiave delle prestazioni

Parametro Valore Unità
VDS , min @ Tj (max) 40 V
ID , polso 390 R
RDS (ON) MAX @ VGS =10 V. 2.0 MΩ
QG 96.8 NC


Informazioni di contrassegno
 
Nome prodotto Pacchetto Marcatura
SFS04R02PF TO220 SFS04R02P


 
Valori nominali massimi assoluti a Tj =25°C, salvo diversa indicazione
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione di sorgente di scarico VDS 40 V
Tensione di alimentazione gate VGS ±20 V
Corrente di scarico continuo 1 ) , TC =25 °C. ID 130 R
Corrente di scarico pulsata2 ) , TC =25 °C. ID , polso 390 R
Corrente continua di diodo in avanti 1 ) , TC =25 °C. È 130 R
Diodo a impulsi current2 ) , TC =25 °C. È , polso 390 R
Dissidenza di alimentazione3 ) , TC =25 °C. PD 140 W
Energia a valanghe pulsata5 ) EAS 300 MJ
Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg , Tj da -55 a 175 °C
 

Caratteristiche termiche

Parametro Simbolo Valore Unità
Resistenza termica, scatola di giunzione RθJC 1.07 °C/W
Resistenza termica, ambiente di giunzione 4 ) RθJA 62 °C/W

Caratteristiche elettriche a Tj =25°C, salvo diversamente specificato
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di scarica-sorgente di scarica BVDSS 40     V VGS =0 V, ID =250 ΜA
Tensione di soglia gate VGS (th) 1.3   2.5 V VDS =VGS , ID =250 ΜA
Scarico-sorgente
resistenza in stato attivo 		RDS (ON)   1.5 2.0 MΩ VGS =10 V, ID =55 A.
Scarico-sorgente
resistenza in stato attivo 		RDS (ON)   2.5 3.0 MΩ VGS =4.5 V, ID =55 A.
Corrente di dispersione gate-source
IGS 		    100
Na 		VGS =20 V.
    -100 VGS =-20 V.
Corrente di dispersione drain-source IDS     1 μA VDS =40 V, VGS =0 V.

Caratteristiche dinamiche

Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Capacità di ingresso CISS   6587   PF
VGS =0 V, VDS =20   V,
ƒ=100   kHz
Capacità di uscita COSS   2537   PF
Capacità di trasferimento inversa CRS   178   PF
Tempo di ritardo di attivazione td (on)   26.6   n/s
VGS =10 V, VDS =20 V, RG =2 Ω, ID =20 A.
Tempo di salita tr   9.3   n/s
Ritardo di disattivazione td (off)   96   n/s
Tempo di caduta tf   39.3   n/s

Caratteristiche di carica del gate
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Costo totale gate QG   96.8   NC
VGS =10 V, VDS =20 V, ID =20 A.
Carica gate-source DGS   14.5   NC
Carica gate-drain QGD   18.4   NC
Tensione plateau gate Vplateau   2.7   V

Caratteristiche del diodo corpo
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di avanzamento diodo VSD     1.3 V IS =20 A, VGS =0 V.
Tempo di recupero inverso trr   64.8   n/s
VR =20 V, IS =20 A,
Di/dt=100 A/μs
Carica di recupero inversa Qr   63.2   NC
Corrente di recupero inversa di picco Irrm   2   R

Nota
  1. Corrente continua calcolata in base   alla temperatura di giunzione massima consentita.
  2. Valore nominale ripetitivo; larghezza impulso limitata dalla   temperatura massima di giunzione.
  3. PD si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando   la resistenza termica del contenitore di giunzione.
  4. Il   valore   di   RθJA   viene   misurato   con   il   dispositivo   montato   su           una scheda FR-4 1 in 2   da   2oz.   Rame, in ambiente tranquillo con Ta =25   °C.
  5. VDD =30 V,VGS =10 V, L=0.3 MH, Tj iniziale =25 °C.
 
 
Catena di fornitura To220 Sfs04r02PF Vds-40V ID-390A RDS (ON) -2.0milliohm Qg-96.8nc N-Channel Power Mosfet



Dichiarazione di prodotto verde

 







 

 

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