Transistor Enhancement TO252 SFg10r20df Vds-100V ID-420A RDS (ON) -20milliohm Qg-19,8nc Per regolatore di tensione di commutazione MOSFET di potenza a canale N.

Model No.
TO252 SFG10R20DF
Struttura
Planar
incapsulamento Struttura
Chip Transistor
Livello di potenza
Ad alta potenza
Materiale
Silicio
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
35x30x37cm
Marchio
Orientalsemi
Origine
China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1kk/Month
Prezzo di riferimento
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Descrizione del Prodotto

  Descrizione generale
SFGMOS ®    MOSFET     si basa   sull'       esclusivo     design del dispositivo di Oriental Semiconductor   per   ottenere   RDS ( ON ) basso , bassa     carica di gate ,   commutazione rapida   ed   eccellenti     caratteristiche di valanga . La        serie a bassa Vth è     progettata appositamente   per   l'uso   in         sistemi di potenza con rettifica sincrona   con   bassa     tensione di pilotaggio .

Caratteristiche
       RDS(   ON ) E   FOM BASSI
             Perdita di commutazione estremamente bassa
         Affidabilità e     uniformità eccellenti
         Commutazione rapida   e   recupero graduale  

Applicazioni
         Caricabatterie PD
         Driver motore
           Regolatore di tensione di commutazione
         Convertitore CC-CC
             Alimentazione in modalità commutata

    Parametri chiave delle prestazioni

Parametro Valore Unità
VDS , min   @ Tj ( max ) 100 V
ID   , polso 120 R
RDS ( ON ) MAX   @ VGS   =10 V. 20 MΩ
QG 19.8 NC

    Valori nominali massimi assoluti   a   Tj   =25° C   , salvo   diversa   indicazione
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione   di sorgente di scarico   VDS 100 V
    Tensione di alimentazione gate VGS ± 20 V
    Corrente di scarico continuo1 ) , TC =25 ° C. ID 40 R
    Corrente di scarico pulsata2 ) , TC =25 ° C. ID   , polso 120 R
      Corrente continua di diodo in avanti 1 ) , TC =25 ° C. È 40 R
    Diodo a impulsi corrente 2 ) , TC =25 ° C. È   , polso 120 R
  Dissidenza di alimentazione3 ) , TC =25 ° C. PD 72 W
      Energia a valanghe pulsata5 ) EAS 30 MJ
      Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg   , Tj da -55 a  150 ° C


  Caratteristiche elettriche   a   Tj   =25° C   , salvo   diversamente   specificato
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità   Condizione di prova
            Tensione di scarica-sorgente di scarica BVDSS 100     V VGS   =0   V , ID   =250 PA
  Soglia gate
tensione 		VGS ( th ) 1.0   2.5 V VDS   = VGS , ID =250 PA
Scarico -sorgente
  resistenza in stato attivo 		RDS ( ON )   17 20 Mq VGS   =10 V , ID =8   A.
Scarico -sorgente
  resistenza in stato attivo 		RDS ( ON )     26 Mq VGS   = 4.5 V , ID =6 A.
Gate -source
  corrente di dispersione
IGS 		    100
Na 		VGS   = 20 V.
    -  100 VGS   = -20 V.
Scarico -sorgente
  corrente di dispersione 		IDS     1 PA VDS   =100 V , VGS   =0 V.


Nota
1 )        corrente continua calcolata   in base           alla temperatura massima ammissibile della giunzione .
2)      valore nominale ripetitivo ;   ampiezza impulso   limitata   dalla     temperatura di giunzione massima .
3 )    Pd     si basa   sulla     temperatura di giunzione massima , utilizzando       la resistenza termica della scatola di giunzione .
4 )      il   valore   di   RθJA   viene   misurato   con   il   dispositivo   montato   su     una scheda FR-4 1 in 2   con  2oz . Rame  , in         ambiente tranquillo con     Ta =25° C.
5)      VDD =30 V , VGS =10 V , L =0.3 MH , Tj iniziale     =25 ° C.


  Informazioni per l'ordinazione
Pacchetto
Tipo 		Unità/
Aspo 		Bobine   /       scatola interna Unità /       scatola interna   Scatole interne /   scatola in cartone   Unità /       scatola in cartone  
TO252 -P. 2500 2 5000 5 25000
TO252 - J. 2500 2 5000 5 25000


  Informazioni sul prodotto
Prodotto Pacchetto Senza piombo   RoHS   Senza alogeni
SFG10R20DF TO252 sì sì sì


Catena di fornitura To252 Sfg10r20df Vds-100V ID-420A Switching Voltage Regulator N-Channel Power Mosfet



Dichiarazione di prodotto verde

 

 

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