Transistor Enhancement Mode TO263 Osg90r1K2kf Vds-960V ID-15A RDS (ON) -1,2 ohm QG-12.5nc per alimentazione a canale N per caricabatterie EV per illuminazione a LED per telecomunicazioni MOSFET

Model No.
TO263 OSG90R1K2KF
Struttura
Planar
incapsulamento Struttura
Chip Transistor
Livello di potenza
Ad alta potenza
Materiale
Silicio
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
35x30x37cm
Marchio
Orientalsemi
Origine
China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1kk/Month
Prezzo di riferimento
$ 1.80 - 10.80
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Descrizione del Prodotto


  Descrizione generale
Il         MOSFET ad alta tensione GreenMOS®   utilizza       la tecnologia di bilanciamento della carica   per   ottenere   una   resistenza all'accensione eccezionale e una         carica di gate ridotta .       È progettato   per   ridurre al minimo     le perdite di conduzione , fornire     prestazioni di commutazione superiori   e       una robusta capacità a valanga .
   La       serie GreenMOS® Generic    è    ottimizzata    per          prestazioni di commutazione estreme    per    ridurre al minimo    le perdite di commutazione .        È progettato per             applicazioni ad alta densità di potenza    per    soddisfare         i più elevati standard di efficienza .


Caratteristiche
       RDS(   ON ) E   FOM BASSI
             Perdita di commutazione estremamente bassa
       Stabilità e       uniformità eccellenti


Applicazioni
         Alimentazione PC
         Illuminazione a LED
         Potenza per le telecomunicazioni
         Alimentazione del server
         Caricabatteria EV
       Solare / UPS



    Parametri chiave delle prestazioni

Parametro Valore Unità
VDS , min   @ Tj ( max ) 960 V
ID   , polso 15 R
RDS ( ON ) , MAX   @ VGS   =10 V. 1.2 Ω
QG 12.5 NC



    Valori nominali massimi assoluti   a   Tj   =25° C   , salvo   diversa   indicazione

Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione drain -source   VDS 900 V
  Tensione gate-source VGS ± 30 V
    Corrente di scarico continuo1 ) , TC =25 ° C.
ID 		5
R
    Corrente di scarico continuo1 ) , TC =100 ° C. 3.2
    Corrente di scarico pulsata2 ) , TC =25 ° C. ID   , polso 15 R
      Corrente continua di diodo in avanti 1 ) , TC =25 ° C. È 5 R
    Diodo a impulsi corrente 2 ) , TC =25 ° C. È , impulso 15 R
  Dissidenza di alimentazione3 ) , TC =25 ° C. PD 83 W
      Energia a valanghe pulsata5 ) EAS 193 MJ
Resistenza   MOSFET dv / dt   , VDS   =0…480 V. dv / dt 50 V / ns
  Diodo retromarcia   dv / dt , VDS   =0…480 V , ISD ≤ ID dv / dt 15 V / ns
      Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg   , Tj da -55 a  150 ° C


  Caratteristiche elettriche   a   Tj   =25° C   , salvo   diversamente   specificato

Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità   Condizione di prova
            Tensione di scarica-sorgente di scarica
BVDSS 		900    
V 		VGS   =0 V , ID   =250 ΜA
960 1070   VGS   =0 V , ID   =250 μA ,  Tj   =150 ° C.
  Soglia gate
tensione 		VGS ( th ) 2.0   4.0 V VDS   = VGS , ID =250 ΜA
      Resistenza di stato di attivazione drain-source
RDS ( ON ) 		  1.0 1.2
Ω 		VGS   =10 V , ID =2   A.
  2.88   VGS   =10 V , ID =2 A ,
TJ   =150 ° C.
Gate -source
  corrente di dispersione
IGS 		    100
Na 		VGS   = 30 V.
    -  100 VGS   = -30 V.
Scarico -sorgente
  corrente di dispersione 		IDS     10 μA VDS   =900 V , VGS   =0 V.


    Caratteristiche di carica del gate

Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità   Condizione di prova
    Costo totale gate QG   12.5   NC
VGS   = 10 V ,
VDS   = 400 V ,
ID = 5 A.
  Carica gate-source DGS   3.8   NC
  Carica gate-drain QGD   4.3   NC
    Tensione plateau gate Vplateau   5.8   V

    Caratteristiche del diodo corpo
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità   Condizione di prova
    Tensione di avanzamento diodo VSD     1.3 V IS =5 A ,
VGS   = 0 V.
    Tempo di recupero inverso trr   265.9   n/s VR   = 400 V ,
IS =5 A ,
Di / dt =100 A /μs
    Carica di recupero inversa Qr   2.9   μC
      Corrente di recupero inversa di picco Irrm   19.5   R


Nota
1 )        corrente continua calcolata   in base           alla temperatura massima ammissibile della giunzione .
2)      valore nominale ripetitivo ;   ampiezza impulso   limitata   dalla     temperatura di giunzione massima .
3 )    Pd     si basa   sulla     temperatura di giunzione massima , utilizzando       la resistenza termica della scatola di giunzione .
4 )      il   valore   di   RθJA   viene   misurato   con   il   dispositivo   montato   su     una scheda FR-4 1 in 2   con  2oz . Rame  , in         ambiente tranquillo con     Ta =25° C.
5 )      VDD =100 V , VGS   =10 V , L =79.9 MH ,   Tj iniziale   =25 ° C.


  Informazioni per l'ordinazione

Pacchetto
Tipo 		Unità/
Aspo 		Bobine /       scatola interna Unità /       scatola interna   Scatole interne /   scatola in cartone   Unità /       scatola in cartone  
TO263 - C. 800 1 800 5 4000



  Informazioni sul prodotto
Prodotto Pacchetto Senza piombo   RoHS   Senza alogeni
OSG90R1K2KF TO263 sì sì sì



Catena di fornitura

To263 Osg90r1K2kf Vds-960V ID-15A RDS (ON) -1.2ohm Qg-12.5nc N-Channel Power Mosfet



Dichiarazione di prodotto verde

 

 

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