| Nom du produit | Dichlorosilane |
| Type | SiH2Cl2 |
| La pureté | N3.0 |
| Spécification de vérin | 40L |
| Remplir contens(20?C) | 37kg |
| Le type de soupape | DISS636 |
| Les applications | Semiconductor : utilisé dans la production de comprimés de épitaxiale, fibre optique important de matières premières, influent directement sur le rendement de circuits intégrés, l'intégration, le rendement. |
| Les articles | Les compositions | Les symboles | Valeur | Les unités |
| La pureté(GC) | SiH2Cl2 | ≥ | 99,9 | % |
| Les impuretés de gaz | O2+Ar | ≤ | 1 | Ppm |
| N2 | ≤ | 1 | Ppm | |
| CO | ≤ | 1 | Ppm | |
| Le CO2 | ≤ | 1 | Ppm | |
| Les impuretés des donateurs | P | ≤ | 0.20 | Ng/g |
| En tant que | ≤ | 0,05 | Ng/g | |
| L'accepteur d'impuretés | B | ≤ | 0.20 | Ng/g |
| Al | ≤ | 0.10 | Ng/g | |
| Impuretés métalliques | Cr | ≤ | 0.50 | Ng/g |
| Fe | ≤ | 1.00 | Ng/g | |
| Ni | ≤ | 0.50 | Ng/g | |
| Cu | ≤ | 0.50 | Ng/g | |
| Le Zn | ≤ | 0.50 | Ng/g | |
| Co | ≤ | 0.20 | Ng/g | |
| Na | ≤ | 0.50 | Ng/g |